Propiedades ópticas in situ de sistemas de capas múltiples nanoestructuradas

Abstract

Presentamos una técnica de medición de reflectancia en tiempo real para analizar, en el transcurso del anodi- zado electroquímico de Silicio, el crecimiento de una Película de Silicio Poroso (PSP). Empleando además la

determinación independiente del espectro de reflectancia de la PSP seca, logramos correlacionar la porosidad y el espesor de la película con la densidad de corriente del anodizado. Esta información es útil para diseñar espejos dieléctricos con una sintonización óptima de su banda de reflexión.

We present a technique of measurement of reflectance in real time to analyze, in the course of the elec- trochemical etching of Silicon, the growth of Silicon Porous Film (SPF). Using in addition the independent

determination of the reflectance spectrum from the dry PSP, we manage to correlate the porosity and the thick- ness of the film with current density of anodization. This information is useful to design dielectric mirrors with

an optimal tuning of its band of reflection.