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dc.contributor.authorD'Ascenzo, Fiorella Antonina
dc.contributor.authorToranzos, Víctor José
dc.contributor.authorOrtiz, Guillermo Pablo
dc.date.accessioned2026-02-06T10:42:15Z
dc.date.available2026-02-06T10:42:15Z
dc.date.issued2010
dc.identifier.citationD'Ascenzo, Fiorella Antonina, Toranzos, Víctor José y Ortiz, Guillermo Pablo, 2010. Autoensamblado de nanoestructuras en substratos de aluminio anodizado. ANALES AFA. La Plata: Asociación Física Argentina, vol. 22, no. 2, p. 60-63. E-ISSN 1850-1168.es
dc.identifier.issn0327-358Xes
dc.identifier.urihttp://repositorio.unne.edu.ar/handle/123456789/59999
dc.description.abstractAnalizamos el ordenamiento de poros en substratos de Alúmina Porosa Nanoestructurada (APN). Modelamos e implementamos un arreglo experimental con un sistema de adquisición computarizado que permite monitorear la corriente y la temperatura durante todo el proceso de anodizado. Estudiamos el auto-ordenamiento de los poros en las muestras de APN analizando las imágenes correspondientes a las observaciones microscópicas por barrido electrónico (SEM). Corroboramos la formación de las estructuras nanométricas auto-ordenadas de la APN. La determinación de la tasa de regularidad y la triangulación de Delaunay nos permitieron establecer un análisis sistemático del ordenamiento. Nuestros resultados muestran que para tiempos mucho menores a los reportados es posible obtener una regularidad de grado y estabilidad tal que resulten presumiblemente suficientes para el diseño de dispositivos plasmónicos.es
dc.description.abstractWe analyze the arrangement of pores in Porous Alumina Nanostructured (PAN) substrates. We model and implement an experimental setup with a computerized acquisition system that allows monitoring the flow and temperature throughout the anodizing process. We study the self-ordering of the pores in the PAN samples by analyzing the images corresponding to the scanning electron microscopic observations (SEM). We verify the formation of self-ordered nano-structures of the PAN. The determination of the rate of regularity and Delaunay triangulation allowed us establish a systematic analysis of the system. Our results show that for times much lower than those often reported it is possible to get a regularity of degree and stability so that it is presumably sufficient to design plasmonic devices.es
dc.formatapplication/pdfes
dc.format.extentp. 60-63es
dc.language.isospaes
dc.publisherAsociación Física Argentinaes
dc.relation.urihttps://anales.fisica.org.ar/index.php/analesafa/article/view/437/2527es
dc.rightsopenAccesses
dc.rights.urihttp://creativecommons.org/licenses/by-nc-nd/2.5/ar/es
dc.sourceANALES AFA, 2010, vol. 22, no. 2, p. 60-63.es
dc.subjectAlúmina anodizadaes
dc.subjectNanoestructurases
dc.subjectMáscarases
dc.subjectAuto-ordenamientoes
dc.subjectAnodic-aluminaes
dc.subjectNano-structureses
dc.subjectMaskses
dc.subjectSelf-orderinges
dc.titleAutoensamblado de nanoestructuras en substratos de aluminio anodizadoes
dc.typeArtículoes
unne.affiliationFil: D'Ascenzo, Fiorella Antonina. Universidad Nacional del Nordeste. Facultad de Ciencias Exactas y Naturales y Agrimensura; Argentina.es
unne.affiliationFil: D'Ascenzo, Fiorella Antonina. Consejo Nacional de Investigaciones Científicas y Técnicas. Instituto de Modelado e Innovación Tecnológica; Argentina.es
unne.affiliationFil: Toranzos, Víctor José. Universidad Nacional del Nordeste. Facultad de Ciencias Exactas y Naturales y Agrimensura; Argentina.es
unne.affiliationFil: Toranzos, Víctor José. Consejo Nacional de Investigaciones Científicas y Técnicas. Instituto de Modelado e Innovación Tecnológica; Argentina.es
unne.affiliationFil: Ortiz, Guillermo Pablo. Universidad Nacional del Nordeste. Facultad de Ciencias Exactas y Naturales y Agrimensura; Argentina.es
unne.affiliationFil: Ortiz, Guillermo Pablo. Consejo Nacional de Investigaciones Científicas y Técnicas. Instituto de Modelado e Innovación Tecnológica; Argentina.es
unne.journal.paisArgentinaes
unne.journal.ciudadLa Plataes
unne.journal.volume22es
unne.journal.number2es
unne.ISSN-e1850-1168es


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