Estudio de estabilidad de complejos atómicos en semiconductores del grupo iv mediante el modelo de keating anarmónico
Fecha
2021-08-17Autor
Mroginski, M. A.
Casali, Ricardo Antonio
Caravaca, María de los Ángeles
Metadatos
Mostrar el registro completo del ítemResumen
Se presenta un estudio de energías de configuración de pequeños clusters de átomos de C, Ge y Sn en Si para posiciones sustitucionales, mediante el modelo de Keating anarmónico. Los resultados muestran en general tendencia a la nucleación excepto Cx en Si y una posible formación de estructuras complejas de 4 átomos en Si 158 - xGe Cx
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